Китайская исследовательская группа разработала «революционное» устройство флэш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Это новый мировой рекорд для полупроводникового запоминающего устройства.
Устройство получило название PoX. Оно является энергонезависимым и превосходит самые быстрые технологии энергозависимой памяти, которым требуется от 1 до 10 наносекунд для сохранения одного бита данных. Напомним, это одна тысячная наносекунды или одна триллионная секунды.
Энергозависимая память, например, SRAM и DRAM, теряет данные при отключении питания. Энергонезависимая память не отвечает современным требованиям к высокоскоростному доступу к данным.
Команда из Фуданьского университета разработала флеш-память на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. Инновационный механизм позволяет преодолеть ограничения скорости энергонезависимого хранения информации и доступа к ней. Для реализации целей использовались механизмы искусственного интеллекта, сообщает Nature.
Ранее стало известно, что в Южной Корее создали жидкого робота. Он способен проходить между железными прутьями и передвигаться как по твердой поверхности, так и по воде. Модель также может захватывать и перемещать полезные грузы. Робота могут использовать в биомедицине. Кроме того, он будет полезен для поисково-спасательных операций.